特許
J-GLOBAL ID：201003082374578068

パターン形成剤、パターン形成方法およびパターンが形成された基板

発明者：
福田 猛

福田 猛 について

, 
合田 秀樹

合田 秀樹 について


出願人/特許権者：
荒川化学工業株式会社

荒川化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-333180
公開番号（公開出願番号）：特開2010-152284
出願日： 2008年12月26日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：
【課題】高感度であり、耐熱性の高いパターンを形成することができるパターン形成剤を提供すること。【解決手段】一般式(1):R1Si(OR2)3(式中、R1は少なくとも1つのチオール基を有する炭素数1〜8の炭化水素基、または少なくとも1つのチオール基を有する芳香族炭化水素基を表し、R2は水素原子、炭素数1〜8の炭化水素基、または芳香族炭化水素基を表す。)で示されるチオール基含有アルコキシシラン類(a1)を加水分解および縮合して得られるアルカリ処理で除去可能な縮合物(A)および炭素-炭素2重結合を有する化合物(B)を含有するパターン形成剤を用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一般式(1):R1Si(OR2)3(式中、R1は少なくとも1つのチオール基を有する炭素数1〜8の炭化水素基、または少なくとも1つのチオール基を有する芳香族炭化水素基を表し、R2は水素原子、炭素数1〜8の炭化水素基、または芳香族炭化水素基を表す。)で示されるチオール基含有アルコキシシラン類(a1)を加水分解および縮合して得られるアルカリ処理で除去可能な縮合物(A)および炭素-炭素2重結合を有する化合物(B)を含有するパターン形成剤。
IPC (4件)：
G03F 7/075 ,  G03F 7/027 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/075 521 ,  G03F7/027 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R
Fターム (14件)：
2H025AA01 ,  2H025AA10 ,  2H025AB13 ,  2H025AB14 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD01 ,  2H025BC48 ,  2H025CA02 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CC17 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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