特許
J-GLOBAL ID：201003082616776870

発光サイリスタ、発光素子アレイ、発光装置および画像形成装置

発明者：
喜井 浩紀

喜井 浩紀 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-088206
公開番号（公開出願番号）：特開2010-239084
出願日： 2009年03月31日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：
【課題】 ベース層のキャリア濃度および厚み寸法を大きく設定することなく、発光強度に対する電流増幅率βの影響を抑制することのできる発光サイリスタ、発光素子アレイ、発光装置および画像形成装置を提供することである。【解決手段】 発光サイリスタは、基板上に第1半導体層、第1半導体層と反対導電型の第2半導体層、第1半導体層と同じ導電型の第3半導体層、および第1半導体層と反対導電型の第4半導体層がこの順に積層されており、第3半導体層のバンドギャップは、第2半導体層のバンドギャップと略同一、かつ、第1および第4半導体層のバンドギャップより狭幅であり、第3半導体層は、基板側の第1領域と基板と反対側の第2領域とからなり、かつ、第1領域の不純物濃度は1×1016(cm-3)未満である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、N型およびP型のいずれか一方の導電型の第1半導体層、第1半導体層と反対導電型の第2半導体層、第1半導体層と同じ導電型の第3半導体層、および第1半導体層と反対導電型の第4半導体層がこの順に積層されている発光サイリスタにおいて、 前記第3半導体層のバンドギャップは、前記第2半導体層のバンドギャップと略同一であり、かつ、前記第1および前記第4半導体層のバンドギャップより狭幅であり、 前記第3半導体層は、前記基板側の第1領域と前記基板と反対側の第2領域とを含んでなり、かつ、前記第1領域の不純物濃度は前記第2領域の不純物濃度よりも低く、かつ1×1016(cm-3)未満であり、 前記第2半導体層の不純物濃度は、前記第3半導体層の第1領域の不純物濃度と略同一またはそれより高濃度であり、かつ、前記第1半導体層の不純物濃度より低濃度であり、 前記第4半導体層の不純物濃度は、前記第3半導体層の第2領域の不純物濃度と略同一またはそれより高濃度であることを特徴とする発光サイリスタ。
IPC (8件)：
H01L 33/02 ,  H01L 29/74 ,  H01L 21/20 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  H04N 1/036 ,  H01L 27/15
FI (6件)：
H01L33/00 100 ,  H01L29/74 E ,  H01L21/20 ,  B41J3/21 L ,  H04N1/036 A ,  H01L27/15 Z
Fターム (51件)：
2C162AE12 ,  2C162AF59 ,  2C162AH04 ,  2C162AH06 ,  2C162AH40 ,  2C162AH82 ,  2C162AH84 ,  2C162FA04 ,  2C162FA17 ,  2C162FA23 ,  5C051AA02 ,  5C051CA06 ,  5C051DA03 ,  5C051DB02 ,  5C051DB06 ,  5C051DB08 ,  5C051DB22 ,  5C051DB28 ,  5C051DC01 ,  5C051DC07 ,  5C051DE02 ,  5C051DE29 ,  5C051EA01 ,  5F005AA03 ,  5F005AB01 ,  5F005AB03 ,  5F005AC01 ,  5F005AC02 ,  5F005AD02 ,  5F005AH02 ,  5F005BA01 ,  5F041BB03 ,  5F041CA07 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041FF13 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LN11 ,  5F152MM08 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN06 ,  5F152NN07 ,  5F152NN08 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NP05 ,  5F152NP06 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM