電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-180600
公開番号（公開出願番号）：特開2010-074148
出願日： 2009年08月03日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

【課題】高いキャリア移動度とノーマリーオフ特性とを有する電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極26と、電流を取り出すためのソース電極23及びドレイン電極24と、ソース電極23及びドレイン電極24に隣接して設けられ、マグネシウム(Mg)とインジウム(In)を主成分とする酸化物半導体からなる活性層22と、ゲート電極26と活性層22との間に設けられたゲート絶縁層25とを備えている。そして、活性層22を形成する際に流す酸素ガスの流量は、酸素分圧が1.7×10-3Paとなるように調整されており、活性層22を構成する酸化物半導体は、体積抵抗率が10Ωcmで、酸素が非化学量論組成であるMgIn2O4系酸化物半導体となる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

ゲート電圧を印加するためのゲート電極と; 電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と; 前記ソース電極及びドレイン電極に隣接して設けられ、マグネシウム(Mg)とインジウム(In)を主成分とする酸化物半導体からなる活性層と; 前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁層と;を備える電界効果型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/363 , G09F 9/30 , G02F 1/136

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618G , H01L21/363 , G09F9/30 338 , G02F1/1368

Fターム (77件)：

2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA31 , 2H092JA32 , 2H092JA35 , 2H092JA36 , 2H092JA39 , 2H092JA40 , 2H092JA43 , 2H092JA44 , 2H092JB24 , 2H092JB42 , 2H092JB69 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB05 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA27 , 2H092NA22 , 2H092NA28 , 2H092PA06 , 5C094AA21 , 5C094AA53 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DB01 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5F103AA08 , 5F103BB05 , 5F103BB22 , 5F103BB41 , 5F103DD30 , 5F103GG03 , 5F103HH04 , 5F103LL13 , 5F103NN04 , 5F103RR05 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG11 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (2件)

非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-030000 出願人：ティーディーケイ株式会社, 川副博司

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