パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡邉一平 , 木川幸治 , 菅野重慶
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-224459
公開番号（公開出願番号）：特開2010-060693
出願日： 2008年09月02日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】より微細なレジストパターンを簡便かつ効率的に形成することができるパターン形成方法を提供する。【解決手段】(1)半導体基板上に、酸発生剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物からなる第一のレジスト層を形成し、前記第一のレジスト層を選択的に露光し、現像して第一のパターンを形成する工程と、(2)隣接する前記第一のパターン同士の間に、酸発生剤を含有するネガ型感放射線性樹脂組成物からなる第二のレジスト層を形成する工程と、(3)第一のパターンおよび第一のパターンに隣接する第二のレジスト層を選択的露光し、第一のパターン側壁に前記第二のレジスト層に由来する側壁層を形成する工程と、(4)前記第一のパターン及び前記第二のレジスト層を除去する工程とを含むパターン形成方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(1)半導体基板上に、酸発生剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物からなる第一のレジスト層を形成し、前記第一のレジスト層を選択的に露光し、現像して第一のパターンを形成する工程と、 (2)隣接する前記第一のパターン同士の間に、酸発生剤を含有するネガ型感放射線性樹脂組成物からなる第二のレジスト層を形成する工程と、 (3)第一のパターンおよび第二のレジスト層の第一のパターンに隣接する部分を選択的露光し、第一のパターン側壁に前記第二のレジスト層に由来する側壁層を形成する工程と、 (4)前記第一のパターン及び前記第二のレジスト層を除去する工程とを含むパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 , G03F 7/075 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/40 511 , G03F7/075 511 , H01L21/30 502R , H01L21/30 502C , G03F7/075 521

Fターム (28件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BF00 , 2H025BG00 , 2H025CB32 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096EA02 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA05 , 2H096JA02 , 2H096JA04 , 5F046AA13

引用特許：

出願人引用 (4件)

液浸型露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-121757 出願人：株式会社ニコン
レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-027765 出願人：株式会社東芝
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-294981 出願人：株式会社東芝

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