銅ニッケル及びガリウム-スズ-亜鉛-銅-チタンのp型及びn型酸化物に基づく電子半導体デバイス、周辺機器及びその製造工程

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-549027
公開番号（公開出願番号）：特表2010-518619
出願日： 2007年02月05日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：

本発明は、銅ニッケル(OCuxNiy,但し0<x<3且つ0<y<3)、又は、GSZTCOとして示される複数成分のガリウム-スズ-亜鉛-銅-チタン酸化物に基づくp型及びn型酸化物半導体の使用に関する。前記半導体は、異なるモル組成であり、非結晶構造又は結晶構造を備え、ドナー又は電子受容半導体の電気的性質(価数)を備える。本発明は、室温又は100°C以下の温度の製造工程を含む。光電子分野、電子分野での適用は、補完-金属-酸化物-半導体(C-MOS)、薄膜トランジスタ、p-nヘテロ接合、ロジックゲート、Oリング発振器等のデバイスを、ガラス、金属箔、ポリマー、セルロース材料等の基板を用いて製造することである。ここでは、フッ化マグネシウムに基づく保護層が使用され、二酸化ケイ素等の誘電体に対するアクティブな半導体のタンタル酸化物の整合層を備えている。

請求項（抜粋）：

ドープされているか又はドープされていないOCuxNiy及びガリウム-スズ-亜鉛-チタン-銅複合成分のp型及びn型酸化物に基づく電子半導体デバイスにおいて、上記構造に基づく複数成分の非結晶又は結晶酸化物であり、各元素組成が全モル組成の0.005〜0.995の範囲で変えることができ、化学量論的又は非化学量論的にそれぞれOCuxNiy及びGSZTCOとして示され、組成を変えることにより、又は、全組成の0.20までの範囲の量でジルコニウム、窒素等の他の不純物を添加することにより、電子及び光学機能性が制御され、電導性、自由キャリヤの数、性質、それぞれp型及びn型として示される電子又は正孔の良好な制御を行うために、与えられた組成の1又は2の元素を置換することができることを特徴とする電子半導体デバイス。

IPC (8件)：

H01L 29/24 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/861 , H01L 33/28

FI (10件)：

H01L29/24 , H01L29/78 613A , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 626C , H01L29/78 618A , H01L27/08 331E , H01L27/08 321A , H01L29/91 F , H01L33/00 182

Fターム (64件)：

5F041CA03 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA67 , 5F048AA07 , 5F048AA09 , 5F048AB04 , 5F048AB10 , 5F048AC04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC18 , 5F048BD02 , 5F048BD10 , 5F048BF01 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG01 , 5F048BG14 , 5F110AA05 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB09 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (1件)

非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

引用文献：

審査官引用 (1件)

P-Type semiconducting Cu2O-NiO thin films prepared by magnetron sputtering

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