特許
J-GLOBAL ID：201003088026522090
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-033688
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192565
出願日： 2009年02月17日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
【課題】IGBT素子領域とダイオード素子領域とを同一半導体基板に備えた逆導通型の半導体装置において、電流検知領域によるIGBT検知電流、ダイオード検知電流の検知精度を向上させる。IGBTとダイオードとの境界部分によって検知電流が不安定化することを抑制する。【解決手段】電流検知領域を主活性領域のIGBT素子領域に隣接して配置し、IGBT素子領域のコレクタ領域を電流検知領域のコレクタ領域に接するまで伸ばす。IGBTとダイオードとの境界部分による影響を受けにくくなるため、IGBT検知電流が安定化する。同様に、電流検知領域を主活性領域のダイオード素子領域に隣接して配置し、ダイオード素子領域のカソード領域を電流検知領域のカソード領域に接するまで伸ばす。これによって、ダイオード検知電流が安定化する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
IGBT素子領域と、ダイオード素子領域と、IGBT素子領域を流れるIGBT電流を少なくとも検知可能な第1の電流検知領域と、が同一半導体基板内に形成されている半導体装置であって、
IGBT素子領域と第1の電流検知領域の少なくとも一部では、第2導電型のコレクタ領域と第1導電型のドリフト領域と第2導電型のボディ領域が順に積層されており、
ダイオード素子領域では、第1導電型のカソード領域と第1導電型のドリフト領域と第2導電型のボディ領域が順に積層されており、
第1の電流検知領域は、IGBT素子領域に隣接して配置されており、
IGBT素子領域のコレクタ領域が第1の電流検知領域のコレクタ領域に接するまで伸びていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/04
, H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 21/76
, H01L 21/761
H01L29/78 657F
, H01L29/78 657A
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655C
, H01L29/78 655F
, H01L29/78 652R
, H01L21/76 J
5F032AB02
, 5F032CA15
, 5F032CA21
, 5F032CA24
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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