特許

J-GLOBAL ID：201003089096171452

無電解ニッケル堆積のためのシード層を有するアンダーバンプメタライゼーション構造

発明者： トーマス ストロスマン
出願人/特許権者： フリップチップ インターナショナル エルエルシー
代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  英 貢
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-513478
公開番号（公開出願番号）：特表2010-531066
出願日： 2008年06月20日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

金属シード層と無電解ニッケル皮膜層とを有するアンダーバンプメタライゼーション(UBM)構造及びその製造方法が開示される。UBM構造は半導体基板と、少なくとも1つの最終金属層と、パッシベーション層と、金属シード層と、メタライゼーション層とを具える。少なくとも1つの最終金属層はハードウェア基板の少なくとも一部分の上に形成される。パッシベーション層も半導体基板の少なくとも一部の上に形成される。また、パッシベーション層は複数の開口を含む。更に、パッシベーション層は非導電性材料から形成される。少なくとも1つの最終金属は複数の開口により露出される。金属シード層はパッシベーション層の上に形成され、複数の開口を被覆する。メタライゼーション層は前記金属シード層の上に形成される。メタライゼーション層は無電解堆積により形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板であって、該半導体基板上に形成されたパッシベーション層と、該パッシベーション層の開口により露出された複数の最終金属層とを有する半導体基板と、 前記最終金属層を露出する前記パッシベーション開口の各々の上に形成され且つ各開口を超えて延在する金属シード層であって、電子デバイスの最終パッシベーション層に使用される窒化物、酸化物、又は様々なポリマーなどの非導電性材料の上に形成された金属シード層と、 無電解堆積により前記金属シード層上に形成されたメタライゼーション層と、 を具えることを特徴とするアンダーバンプメタライゼーション(UBM)構造。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ,  C23C 18/32 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (4件)：

H01L21/92 602H ,  C23C18/32 ,  H01L21/88 T ,  H01L21/92 603D

Fターム (26件)：

4K022AA02 ,  4K022AA05 ,  4K022AA41 ,  4K022BA14 ,  4K022BA35 ,  4K022CA09 ,  4K022CA17 ,  4K022CA28 ,  4K022CA29 ,  4K022DA01 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033VV07 ,  5F033XX13 ,  5F033XX14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-224335
  
• 半導体素子およびその製造方法並びに半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-030334   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-076833   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-224335