半導体素子およびその製造方法並びに半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-030334
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234367
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】低コストで作製可能なフリップチップ構造の半導体素子の提供。低α線化が可能な実装構造の提供。半導体基板と実装基板間の距離を大きく確保できるようにする。【解決手段】半導体チップ1の配線層2上に密着層4、接着層5を介して銅な柱状バンプ6をウェハ単位で一括形成可能な電解メッキにより形成する。柱状バンプの上面もしくは上面および側面の一部に金等からなる酸化防止層8を形成する。柱状バンプの側面には、必要に応じて酸化膜等からなる濡れ防止膜7を形成する。このバンプを実装基板上のパッドにはんだ付けすると、はんだが柱状バンプ上面全域と側面の上部の一部のみを濡らし、信頼性の高い接合形状を安定して形成することが出来る。また、柱状バンプが溶融することがない為、はんだリフローにより半導体基板-実装基板間の距離が狭まることはない。

請求項（抜粋）：

電極上にバンプとなる柱状突起が半導体基板上に露出して形成されている半導体素子において、前記柱状突起の側面の上部部分および上面が、前記柱状突起の酸化を防止しはんだ付け時に前記柱状突起のはんだに濡れる領域を画定するキャップ膜により被覆されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 21/60 , C25D 7/12

FI (4件)：

C25D 7/12 , H01L 21/92 602 E , H01L 21/92 602 K , H01L 21/92 604 B

Fターム (9件)：

4K024AA09 , 4K024AB03 , 4K024AB04 , 4K024BA01 , 4K024BB12 , 4K024BC10 , 4K024FA05 , 4K024GA01 , 4K024GA16

引用特許：

審査官引用 (14件)

インジウムバンプの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-137353 出願人：株式会社東芝
導電用バンプ、導電用バンプ構造及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-261114 出願人：田中貴金属工業株式会社
特開平1-187948

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