特許

J-GLOBAL ID：201003089228447711

半導体装置の製造方法および基板処理装置

発明者： 赤江 尚徳 ,  ▲ひろせ▼ 義朗
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-283971
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050425
出願日： 2008年11月05日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に改質する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に改質する工程と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行う。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、 前記処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、前記所定元素含有層を窒化層に改質する工程と、 前記処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、前記窒化層を酸化層または酸窒化層に改質する工程と、 を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/40

FI (3件)：

H01L21/318 C ,  H01L21/31 C ,  C23C16/40

Fターム (46件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA24 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030BA46 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB34 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB07 ,  5F045DC52 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF62 ,  5F058BF74

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子のキャパシタ製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-341904   出願人：現代電子産業株式会社
• 絶縁膜の改質方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-154812   出願人：東京エレクトロン株式会社