絶縁膜の改質方法

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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 吉井一男 , 西山雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-154812
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356528
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】MOSFETのゲート絶縁膜やメモリーデバイスに用いられる容量の電極間絶縁膜中に含まれるカーボン、サブオキサイド、ダングリングボンド等に起因する特性劣化を改善し、絶縁膜の特性を向上させる方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理による改質のみ、熱アニール処理のみによる改質による効果を向上する為に、希ガスと酸素原子を含む処理ガスに基ずくプラズマを用いて、絶縁膜にプラズマ処理と熱アニール処理を組み合わせた改質処理を施すことで、該絶縁膜を改質する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

電子デバイス用基材表面上に成膜された絶縁膜を改質する方法であって、前記改質方法は、希ガスを含む処理ガスに基づくプラズマを該絶縁膜に照射する工程と、該絶縁膜に熱アニールを施す工程とを組み合わせることにより形成されることを特徴とする基板処理方法。

IPC (4件)：

H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/316 P , H01L29/78 301G , H01L27/10 651

Fターム (59件)：

5F058BA01 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF11 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BH01 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02 , 5F083AD01 , 5F083AD11 , 5F083GA21 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA19 , 5F083NA01 , 5F083NA02 , 5F083PR33 , 5F140AA02 , 5F140AA24 , 5F140AA28 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AB09 , 5F140AC01 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD20 , 5F140BE02 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE13 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BG28 , 5F140BG37 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB01 , 5F140CB02 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (7件)

金属酸化膜の改質方法、金属酸化膜の成膜方法及び熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-026170 出願人：東京エレクトロン株式会社
タンタル酸化物膜を絶縁膜として有するキャパシタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-151395 出願人：東京エレクトロン株式会社
高誘電率膜の電気的特性を改善するための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-081511 出願人：シャープ株式会社

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