半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-327677
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134588
出願日： 2005年11月11日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：

【課題】共通の半導体基板の上に複数の半導体素子を形成すると寄生トランジスタが形成される。【解決手段】寄生トランジスタの動作を抑制することができる複合半導体装置は、p型の第1の半導体領域7の上にn型の第2の半導体領域8と環状に形成された第3、第4及び第5の半導体領域9,11,12を有する。最も内側に配置されたn+型の第5の半導体領域12の内側に抵抗膜3が配置されている。この抵抗膜3はドレイン電極18と接続導体30との間に接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子を形成するための複数の半導体領域を含み且つ一方の主面とこの一方の主面に対向する他方の主面とを有する半導体基体と、前記半導体基体の前記一方の主面上に設けられた第1及び第2の電極と、前記第1及び第2の電極間を流れる電流を制御するために前記半導体基体の前記一方の主面上に配置された制御手段と、前記半導体基体の前記一方の主面上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され且つ前記第2の電極に電気的に接続され且つ所定の抵抗値を有している抵抗膜と、前記抵抗膜上に形成された接続導体とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 21/331 , H01L 29/732 , H01L 29/861 , H01L 27/08 , H01L 29/06 , H01L 21/822 , H01L 27/088

FI (8件)：

H01L27/06 102A , H01L29/72 P , H01L29/91 E , H01L27/08 331A , H01L29/06 301F , H01L29/06 301G , H01L27/06 101D , H01L27/08 102D

Fターム (43件)：

5F003AP04 , 5F003BA23 , 5F003BH10 , 5F003BH18 , 5F003BJ12 , 5F003BJ15 , 5F003BJ20 , 5F003BP01 , 5F003BP31 , 5F048AA01 , 5F048AA03 , 5F048AA05 , 5F048AC01 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA07 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC18 , 5F048BC19 , 5F048BD01 , 5F048BE09 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG00 , 5F048BH01 , 5F048BH04 , 5F048BH05 , 5F048CA03 , 5F048CA05 , 5F048CA07 , 5F082AA02 , 5F082AA26 , 5F082BA02 , 5F082BA11 , 5F082BC03 , 5F082BC11 , 5F082BC18 , 5F082FA20 , 5F082GA04

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置の素子分離構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-311639 出願人：株式会社デンソー
LDMOSによるブートストラップ・キャパシタンスの充電
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-143765 出願人：エッセヂエッセ-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセ・エッレ・エッレ

審査官引用 (13件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-124927 出願人：トヨタ自動車株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-334680 出願人：サンケン電気株式会社
特開昭57-093569

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