特許
J-GLOBAL ID：200903021079092102

横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法

発明者：
秋山 肇

秋山 肇 について

, 
樽井 陽一郎

樽井 陽一郎 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-088721
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227949
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】SOI層表面の電界集中に制限されることのない格段に高い耐圧を有する横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法においては、半導体層2に不純物を導入することで半導体層2の材料よりも広いワイドバンドギャップを有する材料よりなるSiC薄膜層20が形成される。そしてSiC薄膜層20を有する半導体層2に埋込絶縁層3とシリコン基板1とが貼り合わせられる。【選択図】図28
請求項（抜粋）：
半導体基板上に埋込絶縁層を介在して形成された半導体層を有し、前記半導体層に高耐圧素子が形成された半導体装置の製造方法であって、 前記半導体層に不純物を導入することで、前記半導体層の材料よりも広いワイドバンドギャップを有する材料よりなるワイドバンドギャップ層を形成する工程と、 前記ワイドバンドギャップ層を有する前記半導体層に埋込絶縁層と半導体基板とを貼り合わせる工程とを備えた、横型高耐圧素子を有する半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/265
FI (7件)：
H01L29/91 D ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/06 301F ,  H01L21/265 F
Fターム (14件)：
5F110AA30 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG33 ,  5F110GG36 ,  5F110GG52 ,  5F110QQ17
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 横型SOI装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-272454   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
審査官引用 (6件)
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