半導体デバイスの製造方法および基板処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 福田浩志 , 宮本治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-134061
公開番号（公開出願番号）：特開2010-206223
出願日： 2010年06月11日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成工程を有する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】処理室52内にシリコン原子を含む第1の原料ガスを供給し、ウエハ200上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成する工程と、第1の原料ガスの供給を停止し、第1の原料ガスを処理室52内から排出する工程と、処理室52内に酸素原子を含む第2の原料ガスを供給し、ウエハ1上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、第2の原料ガスの供給を停止し、処理室52内から第2の原料ガスを排出する工程と、を繰り返して各基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数枚の基板を多段に積載して処理室内に搬入する工程と、前記処理室内で前記各基板を所定の温度に加熱した状態で、前記基板の積載方向に沿って設けられた第1ノズルより前記処理室内にシリコン原子を含む第1の原料ガスを供給し、前記第1の原料ガスを熱分解させて前記各基板上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記処理室内で前記各基板を前記所定の温度に加熱した状態で、前記基板の積載方向に沿って設けられた第2ノズルより前記処理室内に酸素原子を含む第2の原料ガスを供給し、前記各基板上に形成された前記アモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成する工程とを、間に前記処理室内に残留するガスを前記処理室内から排出する工程を挟んで、交互に繰り返すことにより、前記各基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/205 , C23C 16/42

FI (5件)：

H01L21/316 X , H01L21/31 E , H01L21/205 , H01L21/31 C , C23C16/42

Fターム (47件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030GA04 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030KA04 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AA20 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AD09 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF03 , 5F045BB07 , 5F045BB19 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EH18 , 5F045EM10 , 5F045HA16 , 5F045HA23 , 5F058BA09 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BH03 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-179710
半導体集積回路の製造方法並びにその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-021741 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-011730

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