特許
J-GLOBAL ID：200903040124081910

酸化物薄膜を製造するプラズマ方法

発明者：
プーラン チャンドラ ジョシ

プーラン チャンドラ ジョシ について

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ジョン ダブリュー. ハーツェル

ジョン ダブリュー. ハーツェル について

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足立 昌弘

足立 昌弘 について

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大野 芳睦

大野 芳睦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-275029
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165625
出願日： 2003年07月15日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】薄膜酸化物を製造する方法であって、熱酸化のバルク特性および界面特性に近いバルク特性および界面特性を有する薄膜酸化物を生成する方法が提供される。 【解決手段】本発明の方法は、第1のシリコン層を形成する工程と、第1のシリコン層の上に重なる第2のシリコン層を付与する工程と、誘導結合プラズマソースを用いて、400°C未満の温度で、第2のシリコン層を酸化する工程と、第1のシリコン層の上に重なる酸化物層を形成する工程とを含む。この方法のいくつかの局面において、薄膜酸化物層は、酸化された第2のシリコン層の上に重なり、400°C未満の温度で、高密度プラズマ励起化学蒸着処理および誘導結合プラズマソースによって形成される。 【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
薄膜酸化物を製造する方法であって、 第1のシリコン層を形成する工程と、 該第1のシリコン層の上に重なる第2のシリコン層を付与する工程と、 誘導結合プラズマソースを用いて、400°C未満の温度で、該第2のシリコン層を酸化する工程と、 該第1のシリコン層の上に重なる酸化物層を形成する工程と を包含する、方法。
IPC (3件)：
H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (4件)：
H01L21/316 C ,  H01L21/316 M ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617V
Fターム (27件)：
4K030FA01 ,  4K030FA04 ,  4K030JA01 ,  4K030JA18 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA17 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15
引用特許：
審査官引用 (12件)
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