特許
J-GLOBAL ID：201003090785898031

配線基板および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置

発明者：
飯野 道信

飯野 道信 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-300728
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056509
出願日： 2008年11月26日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】 20GHz以上の高周波帯においても良好な終端特性を有し、搭載する半導体素子が正常に動作する配線基板を提供する。 【解決手段】 誘電体基板1と、誘電体基板1の一方主面上に配置された信号線路導体2と、信号線路導体2の両側に間隔を設けて配置された接地導体3と、信号線路導体2の一端と接地導体3とを接続する第1の抵抗体4と、誘電体基板1の一方主面上に接地導体3と絶縁されて配置されたバイアス端子電極5と、誘電体基板1の他方主面上に配置された、一端が前記信号線路導体2の一端に、および他端がバイアス端子電極5にそれぞれ貫通導体6cを介して接続されており、両端間の少なくとも一部が第2の抵抗体6aからなるバイアス導体6とを具備している配線基板7である。信号線路導体2とバイアス導体6との電磁結合が小さく、電磁結合しても減衰して信号線路導体2への反射が小さいので良好な終端特性となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
誘電体基板と、該誘電体基板の一方主面上に配置された信号線路導体と、該信号線路導体の両側に間隔を設けて配置された接地導体と、前記信号線路導体の一端と前記接地導体とを接続する第1の抵抗体と、前記誘電体基板の一方主面上に前記接地導体と絶縁されて配置されたバイアス端子電極と、前記誘電体基板の他方主面上に配置された、一端が前記信号線路導体の前記一端に、および他端が前記バイアス端子電極にそれぞれ貫通導体を介して接続されており、両端間の少なくとも一部が第2の抵抗体からなるバイアス導体とを具備することを特徴とする配線基板。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/02 ,  H01P 1/00
FI (3件)：
H01L23/12 301Z ,  H01L23/02 H ,  H01P1/00 Z
Fターム (1件)：
5J011CA15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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