特許

J-GLOBAL ID：201003092087867062

傾斜三元または四元マルチゲートトランジスタ

発明者： 柯 誌欣 ,  萬 幸仁
出願人/特許権者： 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
代理人 (2件)： 池田 憲保 ,  福田 修一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-116844
公開番号（公開出願番号）：特開2010-278435
出願日： 2010年05月21日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：

【課題】 フィン電界効果トランジスタ(FinFET)とその形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板、前記半導体基板上の絶縁領域、及び前記半導体基板上に位置し、前記絶縁領域間の間隙に少なくとも一部を有し、第1III-V族化合物半導体材料を含むエピタキシー領域を含み、前記エピタキシー領域は、そこと前記半導体基板が第1格子不整合を有する下部分、及び前記下部分上に位置し、そこと前記半導体基板が前記第1格子不整合と異なる第2格子不整合を有する上部分を更に含む集積回路構造。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

半導体基板、 前記半導体基板上の絶縁領域、及び 前記半導体基板上に位置し、前記絶縁領域間の間隙に少なくとも一部を有し、第1のIII-V族化合物半導体材料を含むエピタキシー領域を含み、前記エピタキシー領域は、 前記半導体基板に対して第1格子不整合を有する下部分、及び 前記下部分の上部に位置し、前記半導体基板に対して、前記第1格子不整合と異なる第2格子不整合を有する上部分を更に含む集積回路構造。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (2件)：

H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301B

Fターム (22件)：

5F140AA24 ,  5F140AA29 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB05 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF42 ,  5F140BK12 ,  5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 転位欠陥密度の低い格子不整合半導体構造およびこれに関連するデバイス製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-512484   出願人：アンバーウェーブシステムズコーポレイション
• メモリデバイス、トランジスタ、メモリセル並びにそれらの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-523700   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.