メモリデバイス、トランジスタ、メモリセル並びにそれらの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：野村泰久 , 大菅義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-523700
公開番号（公開出願番号）：特表2008-508725
出願日： 2005年07月25日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

メモリデバイスはメモリセルのアレイと周辺デバイスを含んでいる。少なくとも一部の個別メモリセルはSiCを含む炭酸化部分を含んでいる。少なくとも一部の周辺デバイスは炭酸化部分を含まない。トランジスタは第1ソース/ドレーン、第2ソース/ドレーン、第1ソース/ドレーンと第2ソース/ドレーンとの間にSiCを含む半導体基板の炭酸化部分を含んだチャンネル、及びチャンネルの両側と作動式に関係するゲートを含んでいる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

メモリデバイスであって、半導体基板と、前記半導体基板上に提供された複数のメモリセルからなるメモリセルのアレイとを含んでおり、前記複数のメモリセルの少なくとも一部はSiCを含んだ前記半導体基板の複数の炭酸化部分を含んでおり、本メモリデバイスは、前記半導体基板上にメモリセルアドレス回路とメモリセル読取回路とを含んだ複数の周辺デバイスをさらに含んでおり、該周辺デバイスの少なくとも一部は前記半導体基板のいずれの炭酸化部分を含まないことを特徴とするメモリデバイス。

IPC (7件)：

H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/11 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L27/10 671Z , H01L27/10 381 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L29/78 301B

Fターム (44件)：

5F083AD01 , 5F083AD04 , 5F083AD06 , 5F083BS04 , 5F083BS10 , 5F083BS16 , 5F083BS22 , 5F083EP62 , 5F083EP67 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA24 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA07 , 5F083HA08 , 5F083NA01 , 5F083PR25 , 5F083ZA04 , 5F083ZA06 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F101BD05 , 5F101BD12 , 5F101BD16 , 5F101BD30 , 5F101BD35 , 5F101BD39 , 5F101BF09 , 5F101BH11 , 5F140AC23 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB02 , 5F140BB04 , 5F140BB05 , 5F140BF42 , 5F140BF43 , 5F140BH06 , 5F140BH27 , 5F140BK17

引用特許：

審査官引用 (8件)

電界効果トランジスタおよびその製造方法、ならびにそのトランジスタを用いた不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-320708 出願人：ローム株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-326393 出願人：三菱電機株式会社
チャネルに対するパッシブト・ショットキー障壁を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-527994 出願人：エイコーン・テクノロジイズ・インコーポレーテッド

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