特許

J-GLOBAL ID：201003092404862306

ヘテロアセン誘導体及びその用途

発明者： 渡辺 真人 ,  大橋 知一 ,  藤田 匠
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-313210
公開番号（公開出願番号）：特開2010-138077
出願日： 2008年12月09日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。【解決手段】一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体。(ここで、置換基R1〜R4は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数4〜30のアリール基、炭素数6〜20のアルキル基、を示し、T1及びT2は同一又は異なって、硫黄、セレン、テルル、リン、ホウ素を示し、l及びmは、各々0又は1の整数)【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されることを特徴とするヘテロアセン誘導体。

IPC (7件)：

C07D 495/22 ,  C07F 5/02 ,  C07F 9/656 ,  C07D 495/04 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (7件)：

C07D495/22 ,  C07F5/02 A ,  C07F9/6568 ,  C07D495/04 101 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310J

Fターム (16件)：

4C071AA01 ,  4C071AA08 ,  4C071BB03 ,  4C071BB07 ,  4C071CC24 ,  4C071DD04 ,  4C071EE12 ,  4C071FF22 ,  4C071LL10 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB78 ,  4H048VA77 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB78

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 有機半導体素子
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2002008070   出願人：旭化成株式会社
• ヘテロアセン誘導体、テトラハロターフェニル誘導体及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-194346   出願人：東ソー株式会社

審査官引用 (2件)

• ヘテロアセン誘導体、テトラハロターフェニル誘導体及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-194346   出願人：東ソー株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-329901   出願人：国立大学法人広島大学, 日本化薬株式会社