特許

J-GLOBAL ID：201003092492060133

III族窒化物結晶及びその製造方法

発明者： 久保 秀一 ,  下山 謙司 ,  藤戸 健史 ,  清見 和正 ,  三川 豊
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-132264
公開番号（公開出願番号）：特開2010-275171
出願日： 2009年06月01日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：

【課題】(0001)面以外の任意に特定される主面を有する結晶性の高い大面積III族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】オフ角を有する複数のシードを準備する工程と、シードの主面が略同一方向に向くようにしてシードを配置する工程と、シードの主面上に、III族窒化物結晶を成長させる工程と、を含むIII族窒化物結晶の製造方法であって、前記配置工程において、前記複数のシードのオフ角の方向がほぼ同一方向となるように配置する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

オフ角を有する複数のシードを準備する工程と、 シードの主面が略同一方向に向くようにしてシードを配置する工程と、 シードの主面上に、III族窒化物結晶を成長させる工程と、 を含むIII族窒化物結晶の製造方法であって、 前記配置工程において、前記複数のシードのオフ角の方向がほぼ同一方向となるように配置することを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

Fターム (49件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA02 ,  4K030LA14 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ08 ,  5F045DQ10 ,  5F045EK06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• III族窒化物結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-258567   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-109099   出願人：日亜化学工業株式会社