特許
J-GLOBAL ID：200903009912711008
III族窒化物結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-258567
公開番号（公開出願番号）：特開2008-143772
出願日： 2007年10月02日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】{0001}以外の任意に特定される主面を有する結晶性の高いIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、{0001}以外の任意に特定される面方位の主面20mを有するIII族窒化物結晶20の製造方法であって、III族窒化物バルク結晶1から、その特定される面方位の主面10pm,10qmを有する複数のIII族窒化物結晶基板10p,10qを切り出す工程と、それらの基板10p,10qの主面10pm,10qmが互いに平行で、かつ、それらの基板10p,10qの[0001]方向が同一になるように、横方向にそれらの基板10p,10qを互いに隣接させて配置する工程と、それらの基板10p,10qの主面10pm,10qm上に、III族窒化物結晶20を成長させる工程と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
{0001}以外の任意に特定される面方位の主面を有するIII族窒化物結晶の製造方法であって、
III族窒化物バルク結晶から、前記特定される面方位の主面を有する複数のIII族窒化物結晶基板を切り出す工程と、
前記基板の前記主面が互いに平行で、かつ、前記基板の[0001]方向が同一になるように、横方向に前記基板を互いに隣接させて配置する工程と、
前記基板の前記主面上に、前記III族窒化物結晶を成長させる工程と、を含むIII族窒化物結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE13
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EA02
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA07
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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