特許
J-GLOBAL ID：201003093358228822

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
吉川 俊英

吉川 俊英 について

, 
今西 健治

今西 健治 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-023953
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182812
出願日： 2009年02月04日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】オフ時に過剰に落ち込んだドレイン電流をより早期に回復させることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板1と、基板1上に形成されたAlN層2と、AlN層2上に形成され、AlN層2よりも電子親和力が大きいAlGaN層3と、AlGaN層3上に形成され、AlGaN層3よりも電子親和力が小さいAlGaN層4と、が設けられている。更に、AlGaN層4上に形成されたi-GaN層5と、i-GaN層5上方に形成されたi-AlGaN層6及びn-AlGaN層7と、が設けられている。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された第1のバッファ層と、 前記第1のバッファ層上に形成され、前記第1のバッファ層よりも電子親和力が大きい第2のバッファ層と、 前記第2のバッファ層上に形成され、前記第2のバッファ層よりも電子親和力が小さい第3のバッファ層と、 前記第3のバッファ層上方に形成された電子走行層と、 前記電子走行層上方に形成された電子供給層と、 を有することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
Fターム (37件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA62 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS07 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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