特許
J-GLOBAL ID：200903040374140903
半導体基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、半導体パッケージ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068443
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281551
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】素子厚の薄い高性能な半導体装置を製造する。【解決手段】本発明の半導体基板は、第1の厚さを有する第1の基板部分と、前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する第2の基板部分とを備え、前記第2の基板部分を基板の外周部に沿って形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の厚さを有する第1の基板部分と、前記第1の厚さよりも厚い第2の厚さを有する第2の基板部分とを備え、前記第2の基板部分は基板の外周部に沿って形成されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (4件)：
H01L23/12
, H01L21/336
, H01L23/14
, H01L29/78
H01L23/12 F
, H01L29/78 652G
, H01L29/78 652Q
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655F
, H01L23/14 S
, H01L29/78 658A
