特許
J-GLOBAL ID：201003094784633021

レゾルシノールを含有する剥離溶液を用いた金属保護の改善

発明者：
アトキンソン,ジョン・エム

アトキンソン,ジョン・エム について

, 
ポラード,キンバリー・ドナ

ポラード,キンバリー・ドナ について


出願人/特許権者：
ダイナロイ・エルエルシー

ダイナロイ・エルエルシー について


代理人 (7件)： 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  松山 美奈子 ,  森下 梓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-521124
公開番号（公開出願番号）：特表2010-537231
出願日： 2008年08月12日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：
半導体集積回路及び/又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び/又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート(特に銅エッチレート及びTiWエッチレート)の低下したレジスト剥離剤を、その使用方法とともに提供する。好ましい剥離剤は、添加された銅塩とともに、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するための添加されたアミンとともに、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有する。更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)レジスト及び金属をその上に有する基板を準備し;そして (b)前記基板を剥離溶液及びレゾルシノール類を含む組成物と接触させる 工程を含む、基板からレジストを取り除くための方法。
IPC (6件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/32
FI (6件)：
G03F7/42 ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/304 647A ,  C11D7/26 ,  C11D7/34 ,  C11D7/32
Fターム (31件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096LA03 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB00 ,  4H003EB04 ,  4H003EB14 ,  4H003EB19 ,  4H003EB21 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  4H003ED29 ,  5F046MA02 ,  5F157AA46 ,  5F157AA48 ,  5F157AA51 ,  5F157AA63 ,  5F157AA64 ,  5F157AA91 ,  5F157AC01 ,  5F157BB01 ,  5F157BB11 ,  5F157BB66 ,  5F157BC03 ,  5F157BF24 ,  5F157BF38 ,  5F157BF39 ,  5F157CE37 ,  5F157DB03 ,  5F157DB57
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • ホトレジスト用剥離液
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164013   出願人：東京応化工業株式会社
  • レジスト剥離剤組成物
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-579032   出願人：ドウジンセミケムカンパニーリミテッド

前のページに戻る

TOP

BOTTOM