特許

J-GLOBAL ID：201003097013077460

スピン電界効果論理素子

発明者： 洪 起夏 ,  金 鍾燮 ,  申 在光
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-004344
公開番号（公開出願番号）：特開2010-166050
出願日： 2010年01月12日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】スピン電界効果論理素子を提供する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上でスピン分極された電子を選択的に通過させる磁性物質のチャンネルと、チャンネル上のソースと、ソースからの電子が出て行くドレイン並びに出力電極と具備するスピン電界効果論理素子である。該ゲート電極は、ソースからチャンネルに注入される電子を選択的に通過させるために、チャンネルの磁化状態を制御する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、 前記ゲート電極上でスピン分極された電子を選択的に通過させる磁性物質のチャンネルと、 前記チャンネル上のソースと、 前記ソースからの電子が出て行くドレイン並びに出力電極とを具備し、 前記ゲート電極は、前記ソースから前記チャンネルに注入される電子を選択的に通過させるために、前記チャンネルの磁化状態を制御するスピン電界効果論理素子。

IPC (1件)：

H01L 29/82

FI (1件)：

H01L29/82 Z

Fターム (12件)：

5F092AB10 ,  5F092AC24 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD05 ,  5F092BD06 ,  5F092BD07 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD15 ,  5F092BD20 ,  5F092BD23

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強磁性伝導体材料およびその製造方法、並びに磁気抵抗素子、電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-050216   出願人：財団法人大阪産業振興機構, 国立大学法人大阪大学
• 電磁作用によるトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-127124   出願人：株式会社東芝