強磁性伝導体材料およびその製造方法、並びに磁気抵抗素子、電界効果トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-050216
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237304
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】他の物質と組み合わせて、例えば、トンネル磁気抵抗素子や電界効果トランジスタ等の素子を簡単に製造することができる強磁性伝導体材料を提供する。【解決手段】強磁性伝導体材料は、化学式(1) M(A-x)M ́xOy ...(1)(上記xは、0<x≦0.8かつx<Aの範囲の数値であり、上記A、yはMの種類によって変化する定数であり、上記MがFeの場合M ́はMn、Znの少なくとも一方であり、上記MがCrの場合M ́はMn、Znの少なくとも一方であり、上記MがTiの場合M ́はMn、Znの少なくとも一方であり、上記MがZnの場合M ́はMnである)で示される構成である。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

化学式(1) M(A-x)M ́xOy ...(1) (上記xは、0<x≦0.8かつx<Aの範囲の数値であり、上記A、yはMの種類によって変化する定数であり、上記MがFeの場合M ́はMn、Znの少なくとも一方であり、上記MがCrの場合M ́はMn、Znの少なくとも一方であり、上記MがTiの場合M ́はMn、Znの少なくとも一方であり、上記MがZnの場合M ́はMnである) で示されることを特徴とする強磁性伝導体材料。

IPC (10件)：

H01F 1/40 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , H01L 29/786 , H01F 1/34 , H01F 10/193 , H01F 10/20 , H01L 29/82 , H01L 29/78

FI (9件)：

H01F1/00 A , H01L27/10 447 , H01L43/08 M , H01L29/78 618B , H01F1/34 Z , H01F10/193 , H01F10/20 , H01L29/82 Z , H01L29/78 301J

Fターム (27件)：

5E040AB02 , 5E040CA11 , 5E040CA20 , 5E040NN02 , 5E041AB11 , 5E049BA16 , 5E049BA30 , 5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA60 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F110AA30 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110EE01 , 5F110FF01 , 5F110GG01 , 5F140AA00 , 5F140AC16 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA00 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BF01 , 5F140BF10

引用特許：

出願人引用 (1件)

電界効果トランジスタ
公報種別：再公表公報出願番号：JP2003011300 出願人：独立行政法人科学技術振興機構

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