特許

J-GLOBAL ID：201003097858162734

絶縁層用組成物

発明者： 矢作 公
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  三上 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-171155
公開番号（公開出願番号）：特開2010-007030
出願日： 2008年06月30日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：

【課題】 低温で絶縁層(例えば、トランジスタのゲート絶縁膜や保護層)を形成することが可能であり、しかも優れた絶縁耐圧を有する絶縁層を形成可能な絶縁層用組成物を提供すること。【解決手段】 本発明の絶縁層用組成物は、分子内に活性水素基を2個以上有する高分子化合物からなる第1の化合物と、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基を2個以上有する低分子化合物からなる第2の化合物とを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

分子内に活性水素基を2個以上有する高分子化合物からなる第1の化合物と、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基を2個以上有する低分子化合物からなる第2の化合物と、を含む、絶縁層用組成物。

IPC (9件)：

C08L 101/02 ,  H01B 3/46 ,  C08L 83/04 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/33 ,  C08K 5/344 ,  C08G 18/61 ,  C08G 77/32 ,  C08G 18/83

FI (9件)：

C08L101/02 ,  H01B3/46 D ,  C08L83/04 ,  C08K5/00 ,  C08K5/33 ,  C08K5/3445 ,  C08G18/61 ,  C08G77/32 ,  C08G18/83

Fターム (53件)：

4J002CP031 ,  4J002CP051 ,  4J002CP061 ,  4J002CP091 ,  4J002CP101 ,  4J002ER006 ,  4J002ES016 ,  4J002ET016 ,  4J002EU126 ,  4J002FD206 ,  4J034BA03 ,  4J034DA01 ,  4J034DB03 ,  4J034DB07 ,  4J034DM01 ,  4J034DM04 ,  4J034DM06 ,  4J034HA01 ,  4J034HA04 ,  4J034HA06 ,  4J034HD01 ,  4J034HD03 ,  4J034HD05 ,  4J034HD07 ,  4J034HD08 ,  4J034HD12 ,  4J034HD15 ,  4J034RA14 ,  4J246AA03 ,  4J246BA12X ,  4J246BA120 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB021 ,  4J246CA24M ,  4J246CA24U ,  4J246CA24X ,  4J246CA240 ,  4J246CA27M ,  4J246CA27X ,  4J246CA270 ,  4J246CA55M ,  4J246CA55X ,  4J246CA550 ,  4J246CA79M ,  4J246CA79X ,  4J246CA790 ,  5G305AA07 ,  5G305AB01 ,  5G305AB36 ,  5G305CA26 ,  5G305CB15 ,  5G305CB25

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 有機TFTおよびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-053595   出願人：日本放送協会
• 有機TFT素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-233184   出願人：株式会社リコー