特許
J-GLOBAL ID：200903021829332739

有機TFT素子及びその製造方法

発明者：
秋山 善一

秋山 善一 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (2件)： 樺山 亨 ,  本多 章悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-233184
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072049
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】有機TFT素子の信頼性を向上させ、安価に、大面積作製を達成し、次世代表示素子への応用を可能とさせることができる構造の有機TFT素子を提供する。【解決手段】本発明の有機TFT素子は、第1の基材100上に第1の有機絶縁膜120を形成し、その上に有機半導体材料からなるTFT(薄膜トランジスタ)130を形成後、第2の有機絶縁膜110を積層した構造からなることを特徴とし、第1の有機絶縁膜120と第2の有機絶縁膜110を用いて有機TFT130を挟み込む構造とし、有機TFTを不活性化させることにより、経時変化の少ない有機TFT素子の提供が可能になる。また、第1の有機絶縁膜120と第2の有機絶縁膜110を同質の材料から構成することにより、製造工程が簡略化され、素子の製造コストの低減をもたらすことができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の基材上に形成される有機TFT素子において、 第1の基材上に第1の有機絶縁膜を形成し、その上に有機半導体材料からなるTFT(薄膜トランジスタ)を形成後、第2の有機絶縁膜を積層した構造からなることを特徴とする有機TFT素子。
IPC (4件)：
H01L29/786 ,  H01L21/312 ,  H01L27/12 ,  H01L51/00
FI (7件)：
H01L29/78 619A ,  H01L21/312 A ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/28
Fターム (23件)：
5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF01 ,  5F058AH04 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF21 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110NN01 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ30
引用特許：
審査官引用 (10件)
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