導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-077252
公開番号（公開出願番号）：特開2010-231972
出願日： 2009年03月26日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】低コストで形成可能であると共に低抵抗の導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器を提供すること。【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、結晶成長を制御するシード層と、前記シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けられ、結晶成長を制御するシード層と、前記シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備えることを特徴とする導電体基板。

IPC (13件)：

H01B 5/14 , G09F 9/30 , H01B 13/00 , C01G 19/02 , C01G 23/04 , C01G 35/00 , C01G 33/00 , C01F 5/28 , C03C 17/34 , B32B 15/04 , H01J 9/02 , H01J 11/02 , G02F 1/134

FI (14件)：

H01B5/14 A , G09F9/30 310 , H01B13/00 503B , C01G19/02 C , C01G23/04 C , C01G35/00 C , C01G33/00 A , C01F5/28 , C03C17/34 Z , B32B15/04 Z , H01J9/02 F , H01J11/02 B , G09F9/30 330Z , G02F1/1343

Fターム (68件)：

2H092HA03 , 2H092KB12 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA25 , 2H092NA28 , 2H092PA01 , 4F100AA21B , 4F100AA28C , 4F100AB40B , 4F100AG00A , 4F100AR00A , 4F100AR00B , 4F100AR00C , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100CA30B , 4F100GB41 , 4F100JA12A , 4F100JG01C , 4F100JG04 , 4G047CA02 , 4G047CA07 , 4G047CB04 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4G048AA03 , 4G048AA05 , 4G048AB01 , 4G048AC04 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 4G059AA08 , 4G059AB03 , 4G059AC14 , 4G059EA02 , 4G059EA04 , 4G059EB01 , 4G059EB04 , 4G076AA05 , 4G076AB04 , 4G076BA04 , 4G076BG05 , 4G076CA10 , 4G076DA04 , 5C027AA02 , 5C040GC06 , 5C040GC18 , 5C040GC19 , 5C040MA26 , 5C094AA21 , 5C094AA44 , 5C094EA05 , 5C094EA10 , 5C094EB02 , 5C094EB10 , 5C094FB20 , 5C094GB10 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G307FC10 , 5G323BA02 , 5G323BB04

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭61-227946
特開昭63-301415
結晶性薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-162059 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

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審査官引用 (8件)

特開昭61-227946
特開昭61-227946
特開昭63-301415

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