シリコン多結晶インゴットおよびシリコン多結晶ウェハー

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：須田篤 , 楠修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-120594
公開番号（公開出願番号）：特開2010-269943
出願日： 2009年05月19日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：

【課題】従来、結晶成長の初期段階でランダムな面方位を有する多数の結晶粒が制御されずに形成され、それらの結晶粒の接触により形成される結晶粒界の分布もランダムであるため、結晶欠陥がランダム粒界から発生してしまい、高品質な結晶が得られなかった。これに対し、転位や亜粒界などの結晶欠陥の少ない高品質なシリコン多結晶インゴットおよびシリコン多結晶ウェハーを提供する。【解決手段】インゴットの底部または表面付近に{110}近傍または{112}近傍上面方位を有する複数のデンドライト結晶を含み、隣り合うデンドライト結晶の主鎖成長方向の相対方位角度が0〜45°もしくは135〜180°に制御されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

底部または表面付近に、{110}近傍または{112}近傍上面方位を有する複数のデンドライト結晶を含み、隣り合うデンドライト結晶の主鎖成長方向の相対方位角度が0〜45°もしくは135〜180°に制御されていることを、特徴とするシリコン多結晶インゴット。

IPC (4件)：

C30B 29/06 , C30B 33/00 , C01B 33/02 , H01L 31/04

FI (4件)：

C30B29/06 501Z , C30B33/00 , C01B33/02 E , H01L31/04 X

Fターム (23件)：

4G072AA01 , 4G072BB01 , 4G072BB12 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072GG04 , 4G072HH01 , 4G072MM08 , 4G072MM38 , 4G072NN01 , 4G072UU02 , 4G077AA02 , 4G077AA07 , 4G077AB02 , 4G077AB03 , 4G077CD08 , 4G077FG16 , 4G077HA01 , 4G077HA12 , 5F051AA03 , 5F051CB04 , 5F151AA03 , 5F151CB04

引用特許：

審査官引用 (2件)

特許第4203603号
Siバルク多結晶インゴットの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-108887 出願人：国立大学法人東北大学

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