特許
J-GLOBAL ID：200903052955209465
Siバルク多結晶インゴットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
須田 篤
, 楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-108887
公開番号（公開出願番号）：特開2009-051720
出願日： 2008年04月18日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】結晶欠陥が少なく拡散不純物のない、高品質かつ高均質なSiバルク多結晶インゴットを高歩留まりで製造できる、Siバルク多結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】Si融液2を入れたルツボ1内において、ルツボ1の上部から冷媒をSi融液2の表面に近づける、または冷媒をSi融液2中に挿入することにより、Si融液2の上面を局所的に冷却して、Si融液2の表面近傍にデンドライト結晶3を生成させ、その後適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、デンドライト結晶3の下面を新たな成長面として上部から下部へSiバルク結晶を成長させる。デンドライト結晶を融液上部に発現させ、デンドライト結晶の下面を新たな成長面として結晶成長を行うため、Siバルク多結晶の面方位を、特定の面方位に限定できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si融液を入れたルツボ内において、前記ルツボの上部から冷媒を前記Si融液表面に近づける、または冷媒を前記Si融液中に挿入することにより、前記Si融液の上面を局所的に冷却して、前記Si融液表面近傍にデンドライト結晶を生成させ、その後適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、前記デンドライト結晶の下面を新たな成長面として上部から下部へSiバルク結晶を成長させることを、特徴とするSiバルク多結晶インゴットの製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06
, C01B 33/037
, C30B 28/04
C30B29/06 501Z
, C01B33/037
, C30B28/04
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072LL01
, 4G072LL03
, 4G072MM08
, 4G072UU02
, 4G077AA02
, 4G077AA07
, 4G077BA04
, 4G077CD08
, 4G077EG15
, 4G077EH07
, 4G077HA01
, 4G077MB14
, 4G077MB26
, 4G077MB33
