特許
J-GLOBAL ID：201003099960476258

自発光素子、自発光装置、画像表示装置、自発光素子駆動方法、および自発光素子の製造方法

発明者：
平川 弘幸

平川 弘幸 について

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井村 康朗

井村 康朗 について

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長岡 彩絵

長岡 彩絵 について

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岩松 正

岩松 正 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-121457
公開番号（公開出願番号）：特開2010-272257
出願日： 2009年05月19日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：
【課題】安価なシリコン材料と簡便な製造方法で作成でき、効率のよい発光が可能な、新しい発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】自発光素子1は、電極基板2と、薄膜電極3と、これらの間に挟持されシリコン微粒子5と導電微粒子6および塩基性分散剤60の少なくとも一方とが含まれる電子加速層4とを備えている。そして、自発光素子1は、電極基板2と薄膜電極3との間に電圧が印加されると、電子加速層4で電子を加速させてホットエレクトロンを生成し、該ホットエレクトロンにより電子加速層4中のシリコン微粒子5表面が励起して発光する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電極基板と、薄膜電極と、該電極基板と薄膜電極との間に挟持され、シリコン微粒子と導電微粒子および塩基性分散剤の少なくとも一方とを含む電子加速層と、を備え、 上記電極基板と上記薄膜電極との間に電圧が印加されると、上記電子加速層で電子を加速させてホットエレクトロンを生成し、該ホットエレクトロンにより上記電子加速層中のシリコン微粒子表面が励起して発光することを特徴とする自発光素子。
IPC (1件)：
H05B 33/14
FI (1件)：
H05B33/14 Z
Fターム (15件)：
3K107AA06 ,  3K107AA08 ,  3K107BB01 ,  3K107CC03 ,  3K107CC09 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107DD25 ,  3K107DD30 ,  3K107DD54 ,  3K107DD57 ,  3K107DD98 ,  3K107FF15 ,  3K107GG06 ,  3K107HH02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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