特許
J-GLOBAL ID：200903060328999119
冷陰極電界電子放出素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-103065
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208346
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】冷陰極電界電子放出素子を、簡便、且つ、量産性に優れたプロセスにより精度良く製造し得る方法を提供する。【解決手段】冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、(A)支持体10上にカソード電極11を形成する工程と、(B)少なくともカソード電極11上に球体40を配置する工程と、(C)カソード電極11、支持体10及び球体40を絶縁層12によって被覆する工程と、(D)絶縁層12上にゲート電極13を形成する工程と、(E)球体40を除去し、以て、ゲート電極13及び絶縁層12に開口部14を形成し、且つ、開口部14の底部にカソード電極11を露出させる工程を備えている。
請求項（抜粋）：
(A)支持体上にカソード電極を形成する工程と、(B)少なくともカソード電極上に球体を配置する工程と、(C)カソード電極、支持体及び球体を絶縁層によって被覆する工程と、(D)絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、(E)球体を除去し、以て、ゲート電極及び絶縁層に開口部を形成し、且つ、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、を備えていることを特徴とする冷陰極電界電子放出素子の製造方法。
引用特許：
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