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J-GLOBAL ID:201102200438109594   整理番号:11A0926936

光電極でのショットキー障壁効果を考慮した色素増感太陽電池の多重スケールシミュレーション

Multiscale Simulation of Dye-Sensitized Solar Cells Considering Schottky Barrier Effect at Photoelectrode
著者 (10件):
資料名:
巻: 50  号: 4,Issue 2  ページ: 04DP06.1-04DP06.5  発行年: 2011年04月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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色素増感太陽電池(DSSC)の性能に及ぼす光電極TiO2/透明導電酸化膜(TCO)界面の効果を,多重スケールシミュレーションを用いて調査した。このシミュレーションは,以前報告したシミュレータに,TiO2/TCO界面でのショットキー障壁の高さ(SBH)から求めた電圧損失計算を組み入れたものである。TiO2/TCO界面が,金属/n型半導体のショットキーダイオードと直列接続しているとした。TiO2/TCO界面での電子移動と電圧損失を説明するのに,熱電子放出理論を適用した。cis-ジチオシアナト-ビス(2,2’-ビピリジル-4,4’-ジカルボン酸)-ルテニウム(II)(N3色素)を用いたDSSCの電流密度-電圧(J-V)特性の予測精度を,以前報告したシミュレータから求めた予測精度と比較し,改善を図った。DSSCの開放電圧(VOC)と最大出力(Pmax)さらにJ-V特性に及ぼすSBHの効果を議論した。その結果,TCOのSBHが0.5以下であるときが,DSSCに適していることを示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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太陽電池 
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