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J-GLOBAL ID：201102200900936965   整理番号：11A0535398

AlGaN/GaNから成るヘテロ構造に形成される2DEGのP(VDF-TrFE)による変調

Modulation of 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures by P(VDF-TrFE)

著者 (7件)： WANG Ze-Gao (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  CHEN Yuan-Fu (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  CHEN Chao (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  HAO Xin (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  LIU Xing-Zhao (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  ZHANG Wan-Li (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  LI Yan-Rong (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 26  号： 2  ページ： 025010,1-4  発行年： 2011年02月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNから成るヘテロ構造に形成される二次元電子ガス(2DEG)を,ポリ(ビニリデン-フルオリド-トリフルオロエチレン)(P(VDF/TrFE)によって変調する研究について報告する。強誘電体高分子のP(VDF/TrFE)をスピンコーティングによってAlGaN/GaN上に被膜し,140°Cで結晶化させた。殆ど正方形に近い強誘電ヒステリシスループが観測され,残留分極は20μCcm^-2であることが分かった。また,典型的な蝶の形をした強誘電性C-V曲線が得られ,強誘電同調性は72%程度であることが分かった。得られた結果から,AlGaN/GaNから成るヘテロ構造に形成される2DEGのキャリア密度,移動度および抵抗率は強誘電体高分子のP(VDF-TrFE)を通して供給されるゲート電圧によって,直接,そして大幅に変調できることが分かった。また,この2DEGのシートキャリア密度,移動度および抵抗率は,閉じた外部電場の印加の下で,閉じたヒステリシスループを示すことが分かった。そして,キャリア密度は外部電場を変化させるだけで,235%も調整できることが判明した。

シソーラス用語： 重合体 ,  結晶化 ,  *高分子薄膜 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *二次元電子ガス ,  強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  スピンコーティング ,  曲線 ,  残留分極 ,  容量電圧特性 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  電気抵抗率 ,  *MIS構造 ,  力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  *フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体
準シソーラス用語： *VDF-TrFE ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  ヒステリシスループ ,  圧電応答力顕微鏡

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  2DEG ,  VDF-TrFE ,  変調