文献

J-GLOBAL ID：201102202269423562   整理番号：11A0143344

反応性クラスタビームを用いた異方性エッチング

Anisotropic Etching Using Reactive Cluster Beams

著者 (7件)： KOIKE Kunihiko (Iwatani Corp., Shiga, JPN) ,  YOSHINO Yu (Iwatani Corp., Shiga, JPN) ,  SENOO Takehiko (Iwatani Corp., Shiga, JPN) ,  SEKI Toshio (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NINOMIYA Satoshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  AOKI Takaaki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUO Jiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 12  ページ： 126501.1-126501.3  発行年： 2010年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い反応性気体である三フッ化塩素(ClF₃)を持つ非イオン性クラスタビームを用いたシリコンのエッチング特性を調べた。真空中でClF₃分子クラスタを形成し単結晶シリコン基板に照射した場合,室温においてさえ40μm/分かあるいはそれより高いエッチング速度が得られた。光レジストとSiO₂に対するシリコンのエッチング選択度は,少なくとも1:1000であった。アスペクト比10あるいはそれ以上で,高度に異方的なエッチングに成功した。さらに,このエッチング法は,従来のプラズマ処理と比較して損傷性が低いという優れた利点を持っている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： フッ化塩素 ,  *反応性 ,  *エッチング ,  *クラスタビーム ,  ウエハ【IC】 ,  フォトレジスト ,  二酸化ケイ素 ,  アスペクト比
準シソーラス用語： *異方性エッチング ,  シリコンウエハ ,  光レジスト

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (6件)：

• ABE, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2008, 47, 1435
• YAMADA, I. Mater. Sci. Eng. A. 1998, 253, 249
• SEKI, T. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2005, 843, T3.36.1
• HABUKA, H. J. Electrochem. Soc. 2004, 151, G783
• HABUKA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, 6466

タイトルに関連する用語 (3件)： 反応性 ,  クラスタビーム ,  異方性エッチング