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J-GLOBAL ID：201102205668863230   整理番号：11A0306311

e-ビームリソグラフィー用の幾何学的に誘導した露光量補正法

Geometrically Induced Dose Correction Method for e-Beam Lithography Applications

著者 (8件)： GALLER R. (EQUIcon Software GmbH Jena, DEU) ,  CHOI K.-H. (Fraunhofer Center for Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  GUTSCH M. (Fraunhofer Center for Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  HOHLE C. (Fraunhofer Center for Nanoelectronic Technol., Dresden, DEU) ,  KRUEGER M. (EQUIcon Software GmbH Jena, DEU) ,  RAMOS L. E. (Vistec Electron Beam GmbH, Jena, DEU) ,  SUELZLE M. (EQUIcon Software GmbH Jena, DEU) ,  WEIDENMUELLER U. (Vistec Electron Beam GmbH, Jena, DEU)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7823  号： Pt.1  ページ： 78231E.1-78231E.9  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らはすでに,高密度パターンがプロセス近接関数の短距離部(約40nm以下)の大きさに近づくと,幾何学的に誘導した露光量補正法(GIDC)による露光量分布のコントラストと「閾値における露光量勾配(DST)」の向上が可能になることをシミュレーションに基づいて報告した。今回は,このGIDCによる露光量分布とDSTのシミュレーション結果を通常の近接効果補正の場合と比較した。次に,Vistec SB 3050DWを使用し,通常の方法とGIDCを用いて,CDが33~50nmの範囲で変化する試験パターンを化学増幅レジストに露光し,その露光量の許容度とラインエッジ粗さを比較した。この比較から,シミュレーションとの一致が得られ,GIDCの有効性を立証できた。

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  *パターン形成 ,  *近接効果 ,  *露光 ,  補正 ,  幾何学量 ,  放射強度 ,  空間分布 ,  コントラスト ,  計算機シミュレーション ,  数値解析 ,  長さ ,  化学増幅レジスト ,  許容範囲
準シソーラス用語： クリティカルディメンジョン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ビーム ,  リソグラフィー ,  幾何学 ,  誘導 ,  露光量 ,  補正法