KAGA T. について
Tohoku Univ., Miyagi, JPN について
OHTOMO Y. について
Tohoku Univ., Miyagi, JPN について
OGAWA S. について
Tohoku Univ., Miyagi, JPN について
OGAWA S. について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
SATO M. について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
SATO M. について
Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN について
NIHEI M. について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
NIHEI M. について
Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN について
TAKAKUWA Y. について
Tohoku Univ., Miyagi, JPN について
TAKAKUWA Y. について
JST-CREST, Tokyo, JPN について
プラズマプロセシング研究会プロシーディングス(CD-ROM) について
プラズマCVD について
薄膜成長 について
グラファイト について
ナノ構造 について
光電子放出 について
蒸着膜 について
プラズマ生成 について
電流電圧特性 について
光電子 について
運動エネルギー について
グラフェン について
PECVD について
ケイ素基板 について
多層グラフェン について
その他の無機化合物の薄膜 について
光電子 について
プラズマCVD について
SiO2 について
Si基板 について
多層グラフェン について
成長 について