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J-GLOBAL ID：201102208031855330   整理番号：11A0306281

CD均一性向上による45nm技術不揮発性メモリに対するプロセスウィンドウの改善

Process Window improvement on 45nm technology Non Volatile Memory by CD uniformity improvement

著者 (6件)： BUTTGEREIT Ute (Carl Zeiss SMS GmbH, Jena, DEU) ,  BIRKNER Robert (Carl Zeiss SMS GmbH, Jena, DEU) ,  GRAITZER Erez (Carl Zeiss SMS, Karmiel, ISR) ,  COHEN Avi (Carl Zeiss SMS, Karmiel, ISR) ,  TRIULZI Benedetta (Numonyx Italy S.r.l, Agrate Brianza (MI), ITA) ,  ROMEO Carmelo (Numonyx Italy S.r.l, Agrate Brianza (MI), ITA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7823  号： Pt.1  ページ： 78230C.1-78230C.9  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路を確実に機能させるには,クリティカルディメンジョン均一性(CDU)が非常に重要なパラメータになる。本研究では,CDC200装置(Carl Zeiss SMS社)を用いて,マスクCDパターンの改良とウエハレベルでのCDU改善を調べた。マスクレイアウトには45nmノード不揮発性メモリを用いた。新たに開発したWLCD32を用いてCDを測定し,ウエハCDデータと優れた相関を得た。CDU補正にはCDC200装置を用いた。WLCD32とCDC200の閉ループ工程によるマスクCD特徴の改善を実証した。

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  回路パターン形成 ,  不揮発性メモリ ,  *許容範囲 ,  *長さ ,  ウエハ【IC】 ,  均一性 ,  レチクル ,  画像 ,  補正
準シソーラス用語： *プロセスウィンドウ ,  *クリティカルディメンジョン ,  空間像 ,  CDU補正

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： CD均一性 ,  不揮発性メモリ ,  プロセスウィンドウ