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J-GLOBAL ID：201102208195018065   整理番号：11A0571873

スパッタした平坦なGe層上に形成したSi/Ge正孔トンネリング2重障壁共鳴トンネルダイオード

Si/Ge Hole-Tunneling Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes Formed on Sputtered Flat Ge Layers

著者 (8件)： HANAFUSA Hiroaki (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HIROSE Nobumitsu (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  KASAMATSU Akifumi (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MIMURA Takashi (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUI Toshiaki (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  CHONG Harold M. H. (Univ. Southampton, Southampton, GBR) ,  MIZUTA Hiroshi (Univ. Southampton, Southampton, GBR) ,  SUDA Yoshiyuki (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 4  号： 2  ページ： 024102.1-024102.3  発行年： 2011年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々が提案した方法により,緩和率が89%の平坦なGe層上に形成したSi/Ge正孔トンネリング2重障壁共鳴トンネルダイオード(RTD)を実証した。この方法では,我々が提案したスパッタエピタクシー法を使って,高BドープSi(001)基板上に平坦なGe層を直接形成できる。このRTDは,室温の静的電流-電圧(I-V)曲線に明瞭な負性微分抵抗効果を見せた。量子化されたエネルギー準位を評価して,I-V曲線に現れた共鳴ピークは第1重い,及び軽い正孔エネルギー準位を通る正孔トンネリングに帰属されると推測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  エピタクシー ,  マグネトロンスパッタリング ,  ホウ素 ,  ドーピング ,  半導体薄膜 ,  電流電圧特性 ,  負性抵抗 ,  正孔 ,  トンネル効果 ,  ヘテロ接合

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (24件)：

• JAIN, S. C. Semiconductors and Semimetals. 2003, 74, 231
• ISMAIL, K. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 973
• MATUTINOVIC-KRSTELJ, Z. J. Vac. Sci. Technol. B. 1993, 11, 1145
• SEE, P. IEEE Electron Device Lett. 2001, 22, 582
• SUDA, Y. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2273

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタ ,  Si ,  Ge ,  正孔 ,  トンネリング ,  障壁 ,  共鳴トンネルダイオード