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J-GLOBAL ID：201102209441540430   整理番号：11A1313924

高効率電力変換用SiCパワーデバイス

著者 (1件)： 木本恒暢 (京大 大学院工学研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 80  号： 8  ページ： 673-678  発行年： 2011年08月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： あらゆる電気・電子機器において高効率の電力変換が求められている。SiCパワーデバイスは,Siに比べて高耐圧,低損失,高速スイッチングという特徴を有しており,これを用いれば高効率で小型の電力変換器を実現することができる。近年,SiC結晶成長およびデバイス作製技術が急速に進展し,ショットキー障壁ダイオードとパワーMOSFETの実用化が始まっている。本稿では,パワーデバイス応用におけるSiC半導体の特徴と材料開発の現状,およびSiCパワーデバイス研究開発の進展と課題について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *半導体素子 ,  スイッチング ,  Schottky障壁ダイオード ,  MOSFET ,  電力トランジスタ ,  結晶成長 ,  バンドギャップ ,  電力変換器 ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： *パワーデバイス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (47件)：

• BHATNAGAR, M. IEEE Trans. Electron Devices. 1993, 40, 645
• MATSUNAMI, H. Mat. Sci. Eng. R. 1997, 20, 125
• OKUMURA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 7565
• KIMOTO, T. Tech. Digests 2010 VLSI Technology Symp., Honolulu. 2010, 9
• 赤崎勇編著. III族窒化物半導体. 1999

タイトルに関連する用語 (3件)： 高効率 ,  電力変換 ,  SiCパワーデバイス