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J-GLOBAL ID：201102210495805640   整理番号：11A1582998

GaN HEMTのスケールアップモデルとスイッチング特性

著者 (12件)： 豊田玄紀 (山口大 大学院理工学研究科) ,  豊田玄紀 (JST-CREST) ,  岡本昌幸 (山口大 大学院理工学研究科) ,  岡本昌幸 (JST-CREST) ,  平木英治 (山口大 大学院理工学研究科) ,  平木英治 (JST-CREST) ,  田中俊彦 (山口大 大学院理工学研究科) ,  田中俊彦 (JST-CREST) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  橋詰保 (JST-CREST) ,  加地徹 (豊田中研) ,  加地徹 (JST-CREST)
資料名： 電気学会産業応用部門大会(CD-ROM)  (Proceedings of the IEE Japan Industry Applications Society Conference (CD-ROM))
巻： 2011  ページ： ROMBUNNO.1-131  発行年： 2011年09月06日 
JST資料番号： L2177B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  スケールアップ ,  モデル ,  SPICEプログラム ,  回路シミュレーション ,  電力変換器 ,  半導体素子 ,  *スイッチング特性 ,  省エネルギー技術 ,  節約
準シソーラス用語： 省エネルギー ,  *GaN HEMT ,  パワーデバイス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  HEMT ,  スイッチング特性