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J-GLOBAL ID：201102210847239705   整理番号：11A1378755

低抵抗微細Cuワイヤの形成に及ぼす添加物フリーめっき及び高加熱速度焼なましの効果

Effect of Additive-Free Plating and High Heating Rate Annealing on the Formation of Low Resistivity Fine Cu Wires

著者 (4件)： ONUKI Jin (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.) ,  TAMAHASHI Kunihiro (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.) ,  NAMEKAWA Takashi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.) ,  SASAJIMA Yasushi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Ibaraki Univ.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 52  号： 9  ページ： 1818-1823 (J-STAGE)  発行年： 2011年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 添加物フリーめっきによる不純物低減及び高加熱速度焼なましの組合せによって,低抵抗Cuワイヤを開発した。新しい方法で作ったCuワイヤの抵抗は,添加物のある従来のめっき及びH₂中の同じ温度で焼なましして作製したものより約30%低かった。添加物フリーめっきで作製したCuワイヤ中の高加熱速度による実質的な結晶粒成長のため,従来の焼なまし温度より100K低い温度でさえ低抵抗Cuワイヤを実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *銅 ,  *金属線 ,  細線 ,  *焼なまし ,  加熱速度 ,  *電気抵抗率 ,  不純物 ,  水素 ,  銅めっき ,  *電気めっき ,  粒度分布 ,  粒界エネルギー
準シソーラス用語： 結晶粒成長

分類 (3件)： 熱処理技術  (WC03020T) ,  電気めっき  (WC08023B) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (21件)：

• 1) K. Hinode, Y. Hanaoka, K. Takeda and S. Kondo: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L1097.
• 2) W. Steinhögl, G. Schindler, G. Steinlesberger and M. Engelhardt: Phys. Rev. B 66 (2002) 075414.
• 3) W. Wu, S. H. Brongersma, M. Van Hove and K. Maex: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 2838.
• 4) The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), 2009 edition.
• 5) J. J. Plombon, E. Andideh, V. M. Dubin and J. Maiz: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 113124-1-3.

タイトルに関連する用語 (8件)： 低抵抗 ,  微細 ,  Cu ,  ワイヤ ,  添加物 ,  めっき ,  加熱速度 ,  焼なまし