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J-GLOBAL ID:201102213743407605   整理番号:11A1498998

Ga2Te3およびGa2Se3の熱伝導度に及ぼす空孔分布の影響

Effect of Vacancy Distribution on the Thermal Conductivity of Ga2Te3 and Ga2Se3
著者 (6件):
資料名:
巻: 40  号:ページ: 999-1004  発行年: 2011年05月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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筆者らのグループは,自然ナノ構造熱電材料としてGa2Te3に着目してきた。Ga2Te3は基本的には閃亜鉛鉱構造を有しているが,ガリウムサイトの三分の一は,ガリウムとテルル間の原子価不整合に起因する構造的な空格子点である。(1)Ga2Te3の空孔は2次元(2D)空孔面として存在しており,(2)その2次元空孔面による非常に効果的なフォノン散乱に,九分通り起因して,Ga2Te3は予想外に低い熱伝導率(κ)であることが確認されてきた。しかしながら,κに及ぼす2次元空孔面の大きさと周期性の効果は不明であった。さらに,2次元空孔面だけがκを低減するか,あるいは点型空孔でもまた,κを減らすことができるかどうかも不明であった。本研究では,様々な空孔分布を有するGa2Te3とGa2Se3を,熱処理条件を制御することにより準備した。試料の原子構造を,透過型電子顕微鏡によって評価した。そして,レーザーフラッシュ法により測定した熱拡散率からκを評価した。Ga2Te3およびGa2Se3のκに及ぼす空孔分布の影響を議論した。Copyright 2010 TMS Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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比熱・熱伝導一般  ,  半導体の格子欠陥 
タイトルに関連する用語 (3件):
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