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J-GLOBAL ID：201102214929243960   整理番号：11A0925095

二段階酸化による高電子移動度Ge/GeO₂n-MOSFET

High-Electron-Mobility Ge/GeO₂ n-MOSFETs With Two-Step Oxidation

著者 (10件)： LEE Choong Hyun (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  LEE Choong Hyun (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  NISHIMURA Tomonori (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIMURA Tomonori (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  NAGASHIO Kosuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAGASHIO Kosuke (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KITA Koji (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KITA Koji (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  TORIUMI Akira (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TORIUMI Akira (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58  号： 5  ページ： 1295-1301  発行年： 2011年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeはSiよりも反転領域のキャリヤ移動度が高いが,安定した酸化膜が得られずnチャネルの電子移動度が低いことが欠点とされている。理想的Ge/GeO₂積層を形成する高圧酸化と低温酸素アニーリングによる二段階酸化を提案する。二段階酸化によるGe/GeO₂MISCAPの容量-電圧(C-V)特性は電気特性が大きく改善し,界面状態密度は10¹¹eV^-1cm^-2以下である。Ge nチャネルMOSFETの電子移動度がSi-MOSFETの電子移動度を超えることも示した。二段階酸化によるGe n-MOSFETのピーク電子移動度は,Al/GeO₂Ge積層で1100cm²/V・sである。移動度が依然外的散乱源によって制限されていることを明らかにしたので,今回の結果はさらに高性能なGe CMOSを約束するものである。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  MOSFET ,  移動度 ,  酸化ゲルマニウム ,  容量電圧特性 ,  *キャリア移動度 ,  半導体 ,  電流電圧特性 ,  流れ図 ,  状態密度 ,  CMOS
準シソーラス用語： *nMOSFET ,  プロセスフロー図 ,  界面状態密度 ,  高圧酸化 ,  電子移動度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 段階 ,  酸化 ,  電子移動度 ,  Ge