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J-GLOBAL ID：201102215610764688   整理番号：11A0791568

ZEP520Aの低温現像による解像度の増大と溝幅に関するシミュレーション

Enhanced resolution and groove-width simulation in cold development of ZEP520A

著者 (7件)： OKADA Takeru (Nanoprocess Business Dev. Dep., Pioneer Corp., 2-70-1 Hayashi, Tokorozawa, Saitama 3591167, JPN) ,  FUJIMORI Jiro (Nanoprocess Business Dev. Dep., Pioneer Corp., 2-70-1 Hayashi, Tokorozawa, Saitama 3591167, JPN) ,  AIDA Makoto (Nanoprocess Business Dev. Dep., Pioneer Corp., 2-70-1 Hayashi, Tokorozawa, Saitama 3591167, JPN) ,  FUJIMURA Megumi (Nanoprocess Business Dev. Dep., Pioneer Corp., 2-70-1 Hayashi, Tokorozawa, Saitama 3591167, JPN) ,  YOSHIZAWA Tatsuya (Nanoprocess Business Dev. Dep., Pioneer Corp., 2-70-1 Hayashi, Tokorozawa, Saitama 3591167, JPN) ,  KATSUMURA Masahiro (Nanoprocess Business Dev. Dep., Pioneer Corp., 2-70-1 Hayashi, Tokorozawa, Saitama 3591167, JPN) ,  IIDA Tetsuya (Nanoprocess Business Dev. Dep., Pioneer Corp., 2-70-1 Hayashi, Tokorozawa, Saitama 3591167, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 29  号： 2  ページ： 021604  発行年： 2011年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビームリソグラフィーにおける解像度を更に改善するためには,ポジティブ型レジストZEP520A(日本ゼオン)の低温現像に関する定量的な解析が必要である。モデルを用いて,ZEP520Aの低温現像におけるコントラスト曲線と溝幅を解析し,解像度の増大を実験的に確認した。低温現像では,感度を犠牲にしてコントラストが改善されるけれども,現像温度を更に低くすると,コントラストの改善は小さくなることが分かった。コントラスト曲線の現像温度に対する依存性は,活性化エネルギーを持つレジストの溶出速度を仮定すると説明できることが分かった。解像度を評価するために,円周方向に整列したラインアンドスペースのパターンを,回転ステージを備えた電子ビームレコーダーを用いて露光した。分解された溝幅をレジストの溶出モデルと三つのGauss型分布によって構成される入射電子の分布を用いて説明する。これらのモデルを用いると,現像後における溝幅を任意の現像および露光条件の下で容易に計算できることが分かった。解像度は低温において改善され,-10°Cで,ピッチが35nmの密度の高いラインアンドスペースパターンを形成することができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *レジスト ,  低温 ,  現像 ,  分解能 ,  溝 ,  幅 ,  コントラスト ,  活性化エネルギー ,  温度依存性 ,  溶解速度 ,  正規分布 ,  ピッチ【機械要素】 ,  *フォトリソグラフィー
準シソーラス用語： *ポジレジスト ,  解像度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温 ,  現像 ,  解像度 ,  溝幅 ,  シミュレーション