単層カーボンナノチューブ成長のためのAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>支持層の最適厚さ

KIM Soo Youn; SONG Wooseok; KIM Minkook; JEON Cheolho; JUNG Woosung; CHOI Won Chel; PARK Chong-Yun

文献

J-GLOBAL ID：201102215723956702 整理番号：11A1269916

単層カーボンナノチューブ成長のためのAl₂O₃支持層の最適厚さ

Optimum Thickness of Al₂O₃ Support Layer for Growth of Singlewalled Carbon Nanotubes

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資料名：
巻： 50 号： 7,Issue 1 ページ： 075103.1-075103.5 発行年： 2011年07月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

単層カーボンナノチューブ(SWCNTs)を成長するための最適厚Al₂O₃支持層(ASL)を系統的に確立した。原子間力顕微鏡と走査電子顕微鏡の結果は,ASL厚(t_ASL)が厚くなるとASLゲイン直径と粗さの実効値が大きくなることを明らかに示している。このことがFeナノ粒子の形成を律速することによってCNTsの直径に著しい影響を与える。その結果,t_ASL=5,50,および100nm)のASLを用いてSWCNTsおよび多層CNTsが同時に合成され,これはRaman分光と透過電子顕微鏡を用いて確認された。対称的に,10-30 nmのASLsはSWCNTsの成長に優位であり,t_ASL=15nmのASLが直径が小さく分布幅の狭い(1.1±0.15nm)高品質SWCNTを成長するために特に効果的である。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜

引用文献 (28件)：

1) F.-Y. Teng, J.-M. Ting, S.P. Sharma, and K.-H. Liao: Nanotechnology 19 (2008) 095607.
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単層カーボンナノチューブ成長のためのAl2O3支持層の最適厚さ

単層カーボンナノチューブ成長のためのAl₂O₃支持層の最適厚さ