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J-GLOBAL ID：201102216301935814   整理番号：11A1381235

電荷受容層をもつ溶液結晶化OFET 空気中における低閾電圧駆動および高移動度

Solution-Crystallized Organic Field-Effect Transistors with Charge-Acceptor Layers: High-Mobility and Low-Threshold-Voltage Operation in Air

著者 (10件)： SOEDA Junshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HIROSE Yuri (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAGISHI Masakazu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAO Akiko (High Energy Accelerator Res. Organization, Ibaraki, JPN) ,  UEMURA Takafumi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAYAMA Kengo (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  UNO Mayumi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAZAWA Yasuhiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAKIMIYA Kazuo (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  TAKEYA Jun (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 23  号： 29  ページ： 3309-3314  発行年： 2011年08月02日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ケイ素/ケイ素基板上にデシルトリエトキシシランの自己組織化単分子層を吸着させ,2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェンの結晶薄膜を成長させ,続いて溶液から2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタンをドナー-アクセプタ電荷移動相互作用により吸着させた。原子間力顕微鏡,紫外可視吸収スペクトル,X線回折によりキャラクタリゼーションを行った。金電極を形成してOFETを作製した。電流電圧特性を測定した。高キャリア移動度(4~6cm²/Vs)を達成した。

シソーラス用語： *芳香族縮合化合物 ,  *硫黄複素環化合物 ,  薄膜 ,  結晶成長 ,  *FET【トランジスタ】 ,  酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  単分子層 ,  溶液成長 ,  *ドナー-アクセプタ対 ,  *電荷移動 ,  原子間力顕微鏡 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  X線回折 ,  金電極 ,  電流電圧特性 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  自己組織化単分子層 ,  *OFET ,  *ベンゾチオフェン誘導体

分類 (3件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (3件)： デシルトリエトキシシラン ,  テトラフルオロテトラシアノキノジメタン ,  2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン

タイトルに関連する用語 (8件)： 電荷 ,  受容層 ,  溶液 ,  結晶化 ,  OFET ,  空気中 ,  閾電圧 ,  高移動度