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J-GLOBAL ID：201102217132811902   整理番号：11A0138967

「工業用ダイヤモンド」の作成,応用,将来性 ダイヤモンド半導体による高効率高周波パワーデバイスの可能性

著者 (1件)： 嘉数誠 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 月刊Material Stage  (マテリアルステージ)
巻： 10  号： 7  ページ： 58-62  発行年： 2010年10月10日 
JST資料番号： L5969A  ISSN： 1346-3926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 情報通信システムのアプリケーションで高周波・高出力特性が要求されるため未だに真空管が用いられているアプリケーションを半導体化できる可能性を持つダイヤモンド半導体による電界効果型トランジスタ(FET)の開発研究を行った。本研究ではマイクロ波プラズマCVD法で1μm厚の高純度ダイヤモンドエピタキシャル層を成長させた。ダイヤモンド表面はプラズマによって生成した水素ラジカルで終端されている。試作したFETの高周波特性および出力特性を測定した結果,ダイヤモンド半導体を用いたマイクロ波,ミリ波帯パワーデバイスを構築できる可能性を示唆する結果を得た。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ダイヤモンド ,  *半導体 ,  プラズマ ,  *プラズマCVD ,  エピタクシー ,  周波数特性 ,  特性 ,  *マイクロ波 ,  EHF波 ,  *半導体素子 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： マイクロ波プラズマ ,  高周波特性 ,  出力特性 ,  ミリ波 ,  *パワーデバイス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• H. Kawarada, Surf. Sci. Rep. 26(1996)205~259
• M. Kubovic, M. Kasu, H. Kageshima, “Sorption properties of NO2 gas and its strong influence on hole concentration of H-terminated diamond surfaces”, Appl. Phys. Lett.96(2010)052101
• M. Kasu, K. Ueda, and Y. Yamauchi, “Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors”, Diamond and Related Materials 17(2008)741-744
• K. Ueda, M. Kasu, Y. Yamauchi, T. Makimoto, M. Schwitters, D. J. Twitchen, and G. A. Scarsbrook, S. E. Coe: “Diamond FET using high-quality polycrystalline diamond with fT of 45 GHz and fmax of 120 GHz”, IEEE Electron Device Letters, Vol.27, pp. 570~572(2006)
• M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, S. Sasaki, and T. Makimoto: “2W/mm output power density at 1GHz for diamond FETs”, Electronics Letters, Vol.41, pp. 1249~1250(2005)

タイトルに関連する用語 (8件)： 工業 ,  ダイヤモンド ,  応用 ,  将来 ,  ダイヤモンド半導体 ,  高効率 ,  パワーデバイス ,  可能性