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J-GLOBAL ID：201102219991034686   整理番号：11A1159840

不揮発性CMOS論理用磁気トンネル接合

Magnetic Tunnel Junction for Nonvolatile CMOS Logic

著者 (5件)： OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANYU Takahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KASAI Naoki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 218-221  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バックエンド工程(BEOL)適合性とともに高耐久性を有する,不揮発性スピントロニック素子の磁気トンネル接合(MTJ)素子は,高速読出し/書込みが可能であり,従来のVLSI回路とシステムに用いることができる組込みRAMとスタンドアロンRAMおよび論理-イン-メモリアーキテクチャを用いた低電力高性能不揮発性CMOS論理素子を構成することができる可能性があることを示した。現CMOS技術が直面した,消費電力と配線遅延の重要な2課題に対応するため,MTJ-CMOS集積化方法を提案した。MTJ技術の進展により,SRAMとDRAM部を置き換えることにより,MTJをCMOSと組み合わせることを可能にした。MTJとCMOSを完全に集積化することにより,さらに低電力化を必要とするが,現プロセッサの性能を超える不揮発性CMOS論理素子を実現できる可能性があり,MTJ-CMOS技術はスケーリング時代後にいて発展可能な選択肢であることを示した。

シソーラス用語： *磁気抵抗効果 ,  *トンネル接合 ,  *不揮発性メモリ ,  *CMOS構造 ,  論理素子 ,  スピントロニクス ,  *超LSI ,  半導体プロセス ,  TMR素子 ,  MOSFET ,  記憶素子 ,  電力消費 ,  配線 ,  遅延特性
準シソーラス用語： BEOL

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不揮発性 ,  CMOS ,  論理 ,  磁気トンネル接合