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J-GLOBAL ID：201102220303527877   整理番号：11A0951937

有機ケイ酸塩低誘電率材料の酸素プラズマエッチングの第一原理分子動力学シミュレーション

FIRST PRINCIPLE MOLECULAR DYNAMIC SIMULATIONS OF OXYGEN PLASMA ETCHING OF ORGANOSILICATE LOW DIELECTRIC MATERIALS

著者 (2件)： DU Jincheng (Univ. North Texas, Texas) ,  CHAUDHARI Mrunal (Univ. North Texas, Texas)
資料名： Ceramic Engineering & Science Proceedings  (Ceramic Engineering & Science Proceedings)
巻： 31  号： 10  ページ： 119-125  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0760B  ISSN： 0196-6219  CODEN： CESPDK  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ種は低温でも表面と強い相互作用を示し,電子デバイスの微細加工では誘電体層等の選択的除去にプラズマエッチングが用いられる。第一原理分子動力学シミュレーションにより有機ケイ酸塩低誘電率材料の酸素プラズマエッチングを調べた。その結果,しきい値エネルギーと反応生成物は基底状態(³P)の原子状酸素の入射角とターゲット原子に強く依存した。炭素を除去するしきい値エネルギーの低い経路は拡散律速のエッチング挙動を合理的に説明することができる。第一原理分子動力学シミュレーションは複雑なプラズマエッチングプロセスの予測モデル化に有用である。

シソーラス用語： 固体素子 ,  *微細加工 ,  プラズマ ,  酸素 ,  *プラズマエッチング ,  誘電材料 ,  誘電率 ,  *有機ケイ素化合物 ,  *ケイ酸塩 ,  *第一原理 ,  計算機シミュレーション ,  分子動力学 ,  閾値 ,  反応生成物 ,  原子 ,  入射角 ,  予測モデル
準シソーラス用語： *酸素プラズマ ,  酸素原子 ,  *低誘電率材料 ,  電子デバイス ,  *分子動力学シミュレーション ,  閾値エネルギー

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ケイ酸塩 ,  低誘電率材料 ,  酸素プラズマ ,  エッチング ,  第一原理分子動力学シミュレーション